第三百零四章 谋划超S（1/2）

刘焱当初投资研发光刻机，本来就没想过依靠它盈利，量产型号的光刻机，对外售价只有百万人民币。

这个价格只有国外同类产品的三分之一左右，可谓是物美价廉。

可惜这年月，内地的晶圆工厂大多不成气候，后续订单就算有，也不会有太多。

好在维创电子公司自己就有晶圆工厂，且盈利丰厚，只要自产光刻机能完美替代进口产品，且能跟随摩尔定律不断升级进化，花再多的研发资金也是值得。

表彰大会之后，刘焱召集全体光刻机研发室实验室成员，召开了一个研讨会，对下一步的研发计划和研发方向进行了部署。

在研讨会上，刘焱代表维创电子公司率先发言，说道：

“一微米光刻机已经研发成功，并定型量产，在座的诸位功不可没。

但这一切都已经是过去式，接下来，咱们要在一微米光刻机的基础上，再接再厉，研发微米制程的光刻机。

我代表维创电子公司表个态，不管研发过程中遭遇怎样的困难，需要投入几亿，十几亿，甚至几十亿的研发资金，我们维创电子也在所不惜。

接下来，有请廉教授就下一代光刻机研发计划，做一下总体规划。”

廉安平教授拿出一份手写的稿子，清了清嗓子说道：

“当初刘老板提供的光刻机研发资料中，有一份微米光刻机研发概要，点明了几个研发要点，包括光源，透镜系统，双工台，掩模台等等。

其中双工台、掩膜台、控制系统、晶圆传输系统，可以通过一微米光刻机的相关部件进行升级改造达成，难度不是太大。

但为了达到微米的加工精度，光源系统和透镜系统需要重新设计，重新打造，这个难度不是一般的大。”

乌光辉跟着发言道：

“我是搞激光技术出身，在光刻机光源方面有一定研究。光刻分辨率想要达到微米，光源波长需要达到365nm以下，且对光源强度和均匀度都有非常严格的要求。咱们在一微米光刻机上使用的高压汞灯，理论上其极限能达微米的加工精度，但需要对其结构进行彻底的改造，且越是接近极限，越难以达成。

而被业界普遍认定是下一代光刻机光源的krf（氟化氪）准分子激光，光源波长为248nm，可以使最小工艺节点提升至350-180nm水平。当今世界上，很多激光相关的研究所，都在对准分子激光进行研发，进度参差不齐，达到实用水平的，一个都没有。

我的建议是，在光刻机光源方面，两种线路同时研发，哪个率先取得突破，下一代微米光刻机上，就使用哪一种光源。”